STMicroelectronics STU9N60M2
$ 0.712
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Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 9 months ago)
Parti correlate
VishaySIHU7N60E-GE3
VISHAY SIHU7N60E-GE3 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 600 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V
STMicroelectronicsSTU11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
InfineonIPU60R950C6BKMA1
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251-3 N-Channel 600 V 4.4A (Tc) 37W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STU9N60M2 fornite dai suoi distributori.
N-channel 600 V, 0.72 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
STU9N60M2 N-channel MOSFET Transistor, 5.5 A, 650 V, 3-Pin IPAK
N-Channel 600 V 780 mOhm Through Hole Mdmesh II Plus Mosfet - IPAK
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 0.78ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
60W(Tc) 25V 4V@ 250µA 10nC@ 10 V 1individualNChannel 600V 780mΩ@ 3A,10V 5.5A 320pF@100V IPAK，TO-251 Through hole mounting
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance780 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance320 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation60 W
Rds On Max780 mΩ
Rise Time7.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time8.8 ns
Dimensions
Height6.2 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant