STMicroelectronics STP8NM50
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Microchip USA | STP8NM50 | 358 | 3K | Tray | 2d | |||||||
| Win Source | WS-STP8NM50 | 22.000 | 145 | 2h | ||||||||
| Worldway Electronics | STP8NM50 | 19.595 | 7 | Tube | 1d | |||||||
| Esaler Electronic | STP8NM50 | 1000 | 2d | |||||||||
| Aztech | STP8NM50 | 9256 | 20h |
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2011-10-27
LTD Date2012-04-27
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP8NM50 fornite dai suoi distributori.
N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A TO-220/TO-220FP MDmesh™Power MOSFET | MOSFET N-CH 550V 8A TO-220
Power MOSFET Transistors N-Ch 500 Volt 8 Amp
N-CHANNEL 500V-0.7 OHM-8A-TO-220 MDMESH POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Current Rating8 A
Drain to Source Resistance800 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)550 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance415 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation120 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Rds On Max800 mΩ
Resistance800 MΩ
Rise Time8 ns
Voltage Rating (DC)550 V
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant