STMicroelectronics STP80N70F6
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 N-Channel 60 V 80A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
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Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP80N70F6 fornite dai suoi distributori.
N-channel 68 V, 0.0052 Ohm, 96 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in TO-220 package
Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel 68 V 0.008 Ohm Flange Mount Mosfet - TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 68V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)96 A
Drain to Source Breakdown Voltage68 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)68 V
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.85 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage68 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max8 mΩ
Rise Time29 ns
Turn-Off Delay Time102 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant