STMicroelectronics STP5NK60Z
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Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -12.06%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP7N52DK3
N-channel 525 V, 0.95 Ohm typ., 6 A SuperFREDmesh(TM) 3 Power MOSFET in TO-220FP package
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP5NK60Z fornite dai suoi distributori.
N-CHANNEL 600V - 1.2 Ohm - 5A TO-220 Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
N-channel 600 V, 1.2 Ohm typ., 5 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220 package
Ciiva
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 5 A, 1.2 ohm, TO-220, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
90W(Tc) 30V 4.5V@ 50µA 34nC@ 10 V 1individualNChannel 600V 1.6Ω@ 2.5A,10V 5A 690pF@25V TO-220 Through hole mounting 10.4mm*4.6mm*9.15mm
MOSFET, N CH, 600V, 5A, TO 220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Power Dissipation Pd:90W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -12.06%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Current Rating5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance1.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance690 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation90 W
Rds On Max1.6 Ω
Resistance1.6 Ω
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant