STMicroelectronics STP40NF12
Obsolete
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Parti alternative
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2022-11-11
LTD Date2023-05-11
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP40NF10L
N-Channel 100V - 0.028 Ohm - 40A - TO-220 LOW GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
onsemiFDP150N10A-F102
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIPP147N12N3GXKSA1
MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3 N-Channel 120 V 56A (Ta) 107W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP40NF12 fornite dai suoi distributori.
N-CHANNEL 120V - 0.028 Ohm 40A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET™II POWER MOSFET
N-Channel 120 V 32 mOhm Flange Mount StripFET II Power Mosfet - TO-220
Trans MOSFET N-CH 120V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:120V; Continuous Drain Current Id:160A; On Resistance Rds(On):0.032Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.8V; Msl:- Rohs Compliant: Yes
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Current Rating40 A
Drain to Source Breakdown Voltage120 V
Drain to Source Resistance32 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.88 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage120 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max32 mΩ
Rise Time63 ns
Turn-Off Delay Time84 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Voltage Rating (DC)120 V
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant