STMicroelectronics STP28N60DM2
$ 1.834
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STP28N60DM2 | 18 | 1 | |||||||||
| TME | STP28N60DM2 | 39 | 1 | 6h | ||||||||
| DigiKey | 497-16348-5-ND | 962 | 1 | Tube | ||||||||
| Avnet | STP28N60DM2 | 0 | 1K | 9h | ||||||||
| Future Electronics | STP28N60DM2 | 0 | 1K | Tube |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -3.56%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Parti correlate
STMicroelectronicsSTP33N60DM2
N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
InfineonIPP60R120C7XKSA1
Mosfet, N-Ch, 600V, 150Deg C, 92W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPP60R120C7XKSA1
STMicroelectronicsSTP25NM60ND
N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-220 package
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP28N60DM2 fornite dai suoi distributori.
N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
170W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 34nC@ 10 V 1N 600V 160m¦¸@ 10.5A,10V 21A 1.5nF@100V TO-220 9.15mm
N-Channel 600 V 160 mOhm Flange Mount MDmesh DM2 Power Mosfet -TO-220
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 600V, 21A, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:21A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP28N60DM2
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -3.56%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance1.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max160 mΩ
Threshold Voltage4 V
Schede tecniche e documenti
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