STMicroelectronics STP21N90K5
$ 3.33
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | STP21N90K5 | 18 | 1 | 16h | ||||||||
| DigiKey | 497-12864-5-ND | 947 | 1 | Tube | ||||||||
| Newark | STP21N90K5 | 0 | 1 | |||||||||
| Avnet | STP21N90K5 | 0 | 1K | 20h | ||||||||
| Future Electronics | STP21N90K5 | 0 | 50 | Tube |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -3.95%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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 SnapEDA | Impronta | Scarica | |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Parti correlate
STMicroelectronicsSTP20N95K5
N-channel 950 V, 0.275 Ohm typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
STMicroelectronicsSTP15N80K5
N-channel 800 V, 0.3 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP21N90K5 fornite dai suoi distributori.
N-channel 900 V, 0.25 Ohm typ., 18.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
17 A 900 V 0.299 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 900V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220 / N-channel 900 V, 0.25 Ω typ., 18.5 A Zener-protected SuperMESH™ 5 Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages
Mosfet, N-Ch, 900V, 18.5A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:900V; Continuous Drain Current Id:18.5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP21N90K5
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -3.95%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance299 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.645 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation250 W
Rds On Max299 mΩ
Resistance299 MΩ
Rise Time27 ns
Turn-Off Delay Time52 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant