STMicroelectronics STP150N10F7
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Tendenza a 3 mesi: -21.19%
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0 parti disponibili
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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MOSFET N-CH 100V 100A TO220 / Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3 / N-Channel 75 V 120A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220-3
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP150N10F7 fornite dai suoi distributori.
N-channel 100 V, 0.0036 Ohm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
N-Channel 100 V 0.0042 Ohm Flange Mount Power Mosfet - TO-220
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 100V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 100V, 110A, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:110A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4.5V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP150N10F7
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -21.19%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Resistance4.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.115 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max4.2 mΩ
Rise Time57 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time33 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant