STMicroelectronics STP14NK60ZFP
$ 1.756
Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -7.08%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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N-Channel 500 V 380 mOhm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220FP
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Mosfet Transistor, N Channel, 14 A, 500 V, 340 Mohm, 10 V, 3.75 V Rohs Compliant: Yes
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP14NK60ZFP fornite dai suoi distributori.
STP14NK60ZFP N-channel MOSFET Transistor, 13.5 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP
N-channel 600 V, 0.45 Ohm typ., 13.5 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
Trans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
STP14NK60 Series 600 V 13.5 A 0.5 Ohm N-Ch Power MOSFET - TO-220FPAB
Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 600V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 600V, 13.5A, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 13.5A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.45ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.7
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -7.08%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)13.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance500 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.22 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation40 W
Rds On Max500 mΩ
Rise Time18 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time62 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant