STMicroelectronics STP14NK50Z
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP20NK50Z
N-channel 500 V, 0.23 Ohm, 17 A SuperMESH(TM) Power MOSFET Zener-protected in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP15NK50Z
N-Channel 500 V 340 mOhm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220
InfineonSPP16N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 560V 16A TO220-3 N-Channel 560 V 16A (Tc) 160W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP14NK50Z fornite dai suoi distributori.
Transistor MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Tube
N-Channel 500V - 0.34 Ohm - 14A Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
STP14NK50Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 14 A, 500 V, 3-PIN TO-220
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 6 A, 0.34 ohm, TO-220, Through Hole
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube MDmesh, SuperMESHseries, Vds=500 V, 14 A, TO-220encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
MOSFET, N CH, 500V, 14A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):340mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Power Dissipation Pd:150W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:14A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:150W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:500V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
N-channel 500V - 0.34 OHM - 14A TO-220 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -4.69%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Current Rating14 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation135 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3.75 V
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max380 mΩ
Resistance340 mΩ
Rise Time16 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time54 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant