STMicroelectronics STP100N8F6
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Tendenza a 3 mesi: -1.76%
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP110N8F6
N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package
InfineonIRFB3407ZPBF
Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
InfineonIPP80N06S407AKSA2
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 N-Channel 60 V 80A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
STMicroelectronicsSTP110N8F7
N-channel 80 V, 6.4 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
InfineonIRF100B202
MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB N-Channel 100 V 97A (Tc) 221W (Tc) Through Hole TO-220AB
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP100N8F6 fornite dai suoi distributori.
N-channel 80 V, 0.008 Ohm typ., 100 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package
MOSFET N-CH 80V 100A TO220 / Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
176W(Tc) 20V 4V@ 250µA 100nC@ 10 V 1individualNChannel 80V 9mΩ@ 50A,10V 100A 5.955nF@25V TO-220 Through hole mounting 9.15mm(height)
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.76%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Input Capacitance5.955 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation176 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max9 mΩ
Schedule B8541290080
Schede tecniche e documenti
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