STMicroelectronics STN1HNK60
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Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STN1HNK60 fornite dai suoi distributori.
STN1HNK60 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 0.4 A, 600 V, 3 + TAB-PIN SOT-223
N-CHANNEL 600V 8 Ohm 0.4A SOT-223 SUPERMESH MOSFET
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 400 mA, 8.5 Ohm, SOT-223, 4 Pins, Surface Mount
STMicroelectronics MDmesh SuperMESH MOSFET, N-Channel, Vds=600V, Id=400mA, SOT-223 Package, SMD, 3-Pin
Power MOSFET Transistors 600V 8Ohm 1A N-Chnnl SUPERMESH MOSFET
MOSFET, N CH, 600V, 8OHM, 0.4A, SOT-223; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 500mA; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) mA = 400 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 600 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 8.5 / Gate-Source Voltage V = 30 / Fall Time ns = 25 / Rise Time ns = 5 / Turn-OFF Delay Time ns = 19 / Turn-ON Delay Time ns = 6.5 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-223 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 3.3
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -50.87%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)400 mA
Current Rating400 mA
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance8.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance156 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.3 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation3.3 W
Rds On Max8.5 Ω
Resistance8.5 Ω
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time6.5 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height1.82 mm
Length6.5 mm
Width3.5 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant