STMicroelectronics STL65DN3LLH5
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Microchip USA | STL65DN3LLH5 | 163 | 3K | Tray | 11h | |||||||
| Component Stockers USA | STL65DN3LLH5 | 501 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-STL65DN3LLH5 | 61.900 | 50 | 17h | ||||||||
| Worldway Electronics | STL65DN3LLH5 | 22.918 | 7 | Tape & Reel | 16h | |||||||
| Esaler Electronic | STL65DN3LLH5 | 3000 | 7h |
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-12-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STL65DN3LLH5 fornite dai suoi distributori.
Dual N-Channel 30 V 0.0065 Ohm SMT STripFET V Power MosFet - PowerFLAT 5x6
Trans MOSFET N-CH 30V 65A 8-Pin Power Flat T/R
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 30V, 0.0079ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N-CH, 30V, 65A, POWERFLAT; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 65A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0059ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.5V;
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageLQFP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Core ArchitectureARM
Data Bus Width32 b
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)22 V
Input Capacitance1.5 nF
InterfaceCAN, I2C, I2S, SPI, UART, USART, USB
Max Frequency120 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Memory Size768 kB
Memory TypeFLASH
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Number of Programmable I/O114
Number of Timers/Counters14
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation60 W
RAM Size132 kB
Rds On Max6.5 mΩ
Resistance6.5 MΩ
Watchdog TimerYes
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant