STMicroelectronics STL3NM60N
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Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -19.49%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-03-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Parti correlate
InfineonIPD60R2K0C6ATMA1
22.3W(Tc) 20V 3.5V@60µA 6.7nC@10V N-Ch MOSFET 600V 2Ω@760mA,10V 2.4A 140pF@100V TO-252 SMD
InfineonIPL60R2K1C6SATMA1
MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK / N-Channel 600 V 2.3A (Tc) 21.6W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-2
STMicroelectronicsSTB3NK60ZT4
STB3NK60ZT4 N-channel MOSFET Transistor, 2.4 A, 600 V, 3-Pin D2PAK
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STL3NM60N fornite dai suoi distributori.
N-channel 600 V, 1.5 Ohm, 2.2 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 3.3 x 3.3 HV package
MOSFET N-Channel 600V 2.2A 1.8Ω@1A,10V 9.5nC@10V 188pF@50V SMD 3.3mm × 3.3mm × 950μm
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 2.2 A, 1.5 ohm, PowerFLAT, Surface Mount
MOSFET, N-CH, 600V, 2.2A, POWERFLAT-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2.2A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 22W; Transistor Case Style: PowerFLAT; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: Mdmesh II Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -19.49%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance1.8 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)600 V
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance188 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation22 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max1.8 Ω
Resistance1.8 Ω
Rise Time6.2 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time20.8 ns
Turn-On Delay Time8.6 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant