STMicroelectronics STL120N2VH5
$ 1.4
Obsolete
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-02-04
LTD Date2016-08-04
Parti correlate
InfineonIRLH6224TRPBF
20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5 by 6 package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRLR6225PBF
20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Diodes Inc.DMN2005UPS-13
Mosfet, N-Ch, 20V, 100A, Powerdi 5060 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2005UPS-13
onsemiNTB125N02RT4
Cut Tape (CT) Surface Mount N-CHANNEL Single Mosfet Transistor 120.5A 1.98W 21ns 24V
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STL120N2VH5 fornite dai suoi distributori.
N-channel 20 V, 0.002 Ohm, 28 A STripFET(TM) V Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 5x6 package
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMICROELECTRONICS STL120N2VH5 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 20 V, 0.002 ohm, 4.5 V, 700 mV
MOSFET, N CH, 20V, 28A, POWERFLAT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.002ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:80W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerFLAT; No. of Pins:5; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pulse Current Idm:120A
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time55 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance4.66 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation80 W
Rds On Max3 mΩ
Resistance3 MΩ
Rise Time60 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage700 mV
Turn-Off Delay Time76 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height880 µm
Length4.75 mm
Width5.75 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STL120N2VH5.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant