STMicroelectronics STL110NS3LLH7
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Microchip USA | STL110NS3LLH7 | 120 | 3500 | Tray | 1d | |||||||
| Win Source | WS-STL110NS3LLH7 | 8190 | 65 | 23h | ||||||||
| Worldway Electronics | STL110NS3LLH7 | 18.416 | 7 | Tape & Reel | 21h | |||||||
| Aztech | STL110NS3LLH7 | 10.685 | 18h | |||||||||
| Epart123 | STL110NS3LLH7 | 9000 | 3K | 4d |
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STL110NS3LLH7 fornite dai suoi distributori.
N-channel 30 V, 0.0027 Ohm typ., 120 A STripFET H7 Power MOSFET plus monolithic Schottky in a PowerFLAT 5x6 package
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
POWERFLAT8 MOSFET 30V 0.0034OH
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Specifiche tecniche
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Resistance5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time12.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.11 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max3.4 mΩ
Rise Time10.4 ns
Turn-Off Delay Time31.8 ns
Turn-On Delay Time26.4 ns
Schede tecniche e documenti
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