STMicroelectronics STI40N65M2
$ 2.061
Obsolete
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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
0 models available
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STI40N65M2.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-02-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
Parti correlate
InfineonIPI65R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 38A TO262-3 N-Channel 650 V 38A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
STMicroelectronicsSTFI34N65M5
N-channel 650 V, 0.09 Ohm typ., 28 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAKFP package
STMicroelectronicsSTI33N65M2
N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTI33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in I2PAK package
InfineonIPI65R150CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO262-3 N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
InfineonIPI60R125CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 25A TO262-3 N-Channel 650 V 25A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STI40N65M2 fornite dai suoi distributori.
N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STI40N65M2 N-channel MOSFET Transistor, 32 A, 650 V, 3-Pin I2PAK
250W(Tc) 25V 4V@ 250µA 56.5nC@ 10 V 1individualNChannel 650V 99mΩ@ 16A,10V 32A 2.355nF@100V I2PAK Through hole mounting 10mm*4.4mm*8.95mm
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
0 models available
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)32 A
Drain to Source Resistance99 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.355 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage650 V
Number of Elements1
Rds On Max99 mΩ
Turn-Off Delay Time96.5 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height9.35 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STI40N65M2.