STMicroelectronics STH145N8F7-2AG
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-06-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTH140N8F7-2
N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Diodes Inc.DMTH6004SCTB-13
Mosfet, N-Ch, 60V, 100A, To-263Ab Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMTH6004SCTB-13
STMicroelectronicsSTH150N10F7-2
N-channel 100 V, 0.0038 Ohm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
InfineonIRFS7540TRLPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STH145N8F7-2AG fornite dai suoi distributori.
Mosfet, N-Ch, 80V, 90A, H2Pak-2 Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STH145N8F7-2AG
Automotive-grade N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 80V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Split Gate Trench Mosfet FET
Automotive Power Discrete, 80V, 90A, H2PAK-2, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
H2PAK MOSFET 80V 0.042OHM AUTO
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Drain to Source Resistance4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Input Capacitance6.34 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation200 W
Rds On Max4 mΩ
Schedule B8541290080
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant