STMicroelectronics STGW40H120DF2
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Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -21.73%
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0 parti disponibili
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Modelli CAD
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Parti correlate
STMicroelectronicsSTGWA40H120DF2
Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
onsemiFGH40T120SMD-F155
IGBT 1200V 80A 555W TO247-3 / Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
LittelfuseIXA45IF1200HB
IGBT 1200V 78A 325W TO247 / IGBT PT 1200 V 78 A 325 W Through Hole TO-247AD
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STGW40H120DF2 fornite dai suoi distributori.
Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
468W 80A 1.2kV FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
468W 2.1V 2.6V@ 15V,40A 80A TO-247-3 24.45mm
Very fast recovery antiparallel diode
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 80A, TO-247; DC Collector Current: 80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.1V; Power Dissipation Pd: 468W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pin
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -21.73%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)1.2 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Forward Current40 A
Forward Voltage3.9 V
Max Collector Current80 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation468 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time488 ns
Schede tecniche e documenti
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