STMicroelectronics STGW30NC60VD
$ 1.745
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | STGW30NC60VD | 0 | 1 | 7h | ||||||||
| Avnet | STGW30NC60VD | 0 | 600 | 2d | ||||||||
| Future Electronics | STGW30NC60VD | 0 | 10 | Tube | ||||||||
| Farnell | STGW30NC60VD | 0 | 1 | 7h | ||||||||
| Mouser | 511-STGW30NC60VD | 1 | 1 | Tube |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -28.66%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STGW30NC60VD.
Modelli CAD
Scarica il simbolo STMicroelectronics STGW30NC60VD, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-02-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
onsemiFGH40T65SPD-F155
IGBT 650V 80A 267W TO-247 / IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 267 W Through Hole TO-247-3
InfineonIRGP50B60PD1PBF
Transistor IGBT Chip Negative Channel 600 Volt 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STGW30NC60VD fornite dai suoi distributori.
Very Fast 600 V 80 A 250 W Flange Mount PowerMESH IGBT - TO-247LL
40 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
Short-circuit rugged IGBT, TO-247 long leads, Tube
STMicroelectronics SCT
IGBT, N-Channel FAST 80A 600V, TO-247 PKG
Igbt |Stmicroelectronics STGW30NC60VD
250W 2.1V 600V 80A TO-247-3 16.03mm*5.16mm*21.09mm
80 A 600 V N-CHANNEL IGBT TO-247
IGBT, N 600V 40A TO-247; DC Collector Current: 80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.5V; Power Dissipation Pd: 250W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins: 3Pins; O
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -28.66%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)600 V
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Forward Current30 A
Forward Voltage1.8 V
Max Collector Current80 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation250 W
Reverse Recovery Time44 ns
Rise Time11 ns
Dimensions
Height21.07 mm
Length16.02 mm
Width5.15 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STGW30NC60VD.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant