STMicroelectronics STGW25H120F2
$ 2.787
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-14833-5-ND | 584 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | STGW25H120F2 | 0 | 1 | 17h | ||||||||
| Avnet | STGW25H120F2 | 0 | 600 | 6h | ||||||||
| Future Electronics | STGW25H120F2 | 0 | 10 | Tube | ||||||||
| Arrow Electronics | STGW25H120F2 | 0 | 600 |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -3.61%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STGW25H120F2 fornite dai suoi distributori.
STGW25H120F2 Series 1200 V 50 A Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-247-3
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247 / Low thermal resistance
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
Igbt |Stmicroelectronics STGW25H120F2
IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
375W 2.1V 2.6V@ 15V,25A 50A TO-247-3 20.15mm
IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -3.61%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)1.2 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current50 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Schedule B8541290080
Schede tecniche e documenti
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