STMicroelectronics STGW20H65FB
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-08-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2023-09-09
LTD Date2024-03-09
Parti correlate
STMicroelectronicsSTGW30H65FB
IGBT 650V 30A 260W TO-247 / Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
InfineonIRGP4620D-EPBF
IGBT 600V 32A 140W TO247AD / IGBT 600 V 32 A 140 W Through Hole TO-247AD
STMicroelectronicsSTGWA30M65DF2
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STGW20H65FB fornite dai suoi distributori.
IGBT 650V 40A 168W TO247 / IGBT Trench Field Stop 650 V 40 A 168 W Through Hole TO-247-3
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 168000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight38.000013 g
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)650 V
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.55 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current40 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation168 W
Min Operating Temperature-55 °C
Schede tecniche e documenti
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