STMicroelectronics STF45N10F7
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Tendenza a 3 mesi: -2.22%
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Schede tecniche e documenti
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-12-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2020-10-02
LTD Date2021-04-02
Parti correlate
Rochester ElectronicsIRFI4510GPBF
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB FullPak, FULLPAK220-3, RoHS
InfineonIRFI1310NPBF
Single N-Channel 100 V 0.036 Ohm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3FP
STMicroelectronicsSTF30N10F7
N-channel 100 V, 0.02 Ohm typ., 24 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220FP package
STMicroelectronicsSTP25N10F7
N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 25 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STF45N10F7 fornite dai suoi distributori.
N-channel 100 V, 0.0145 Ohm typ., 30 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220FP package
N-Channel 100 V 18 mOhm STripFET VII DeepGATE Power Mosfet - TO-220
STF45N10F7 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 110 A, 100 V, 3-PIN TO-220FP
STMicroelectronics N-Ch MOSFET STripFET H7 Vds=100V 110A TO-220FP TH 3-Pin
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
MOSFET N-CH 100V 30A TO-220FP / Ultra low on-resistance
MOSFET, N-CH, 100V, 30A, 175DEG C, 25W; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0145ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4.5V; Power Dissipation Pd: 25W; Transistor Case Style: TO-220FP; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: STripFET DeepGATE Series; Automotive Qualification Standard: -; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -2.22%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.64 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Rds On Max18 mΩ
Rise Time17 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.6 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant