STMicroelectronics STF20NF20
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Parti correlate
InfineonIPP17N25S3100AKSA1
250V, N-Ch, 100 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T, PG-TO220-3, RoHS
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STF20NF20 fornite dai suoi distributori.
N-channel 200 V, 0.10 Ohm typ., 18 A StripFET Power MOSFET in TO-220FP package
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube / MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP
STF20NF20 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 18 A, 200 V, 3-PIN TO-220FP
18 A 200 V 0.125 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
MOSFET, N CH, 200V, 18A, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 10A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Powe
N-CHANNEL 200V-0.10 OHM-18A-TO-220FP LOW GATE CHARGE STRIPFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube STripFETseries, Vds=200 V, 18 A, TO-220FPencapsulation, Through hole mounting, 3Pin
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Current Rating18 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance940 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max125 mΩ
Resistance100 mΩ
Rise Time30 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant