STMicroelectronics STD7NM80
$ 1.94
Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +24.28%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-09-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTD8NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 7 A, 600 V, 0.59 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STD7NM80 fornite dai suoi distributori.
N-channel 800 V, 0.95 Ohm, 6.5 A MDmesh(TM) Power MOSFET in DPAK package
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 3.25 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 800V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N CH, 800V, 6.5A, DPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3.25A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 0.95ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 90W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max: 6.5A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vds Typ: 800V; Voltage Vgs Max: 30V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +24.28%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance1.05 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Dual Supply Voltage800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance620 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation90 W
Rds On Max1.05 Ω
Resistance1.05 Ω
Rise Time8 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant