STMicroelectronics STD45NF75T4
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Tendenza a 3 mesi: -100%
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Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Parti correlate
InfineonIRFR2607ZTRPBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTD30NF06T4
N-Channel 60V - 0.020 Ohm - 28A - DPAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTD65N55F3
N-channel 55V - 6.5mOhm - 65A - DPAK STripFET (TM) ; Power MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STD45NF75T4 fornite dai suoi distributori.
STD45NF75T4 N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 75 V, 3-Pin DPAK
N-CHANNEL 75V 0.018Ohm 40A DPAK STripFET II MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 75V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N CH, 75V, 40A, DPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 20A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.018ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 125W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max: 40A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +175°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vds Typ: 75V; Voltage Vgs Max: 20V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
MOSFET N CH 75V 40A DPAK; Transistor Polarity:N Channel; On Resistance Rds(on):18mohm; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:DPAK; Continuous Drain Current Id:20A; Package / Case:DPAK; Termination ;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Current Rating40 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance24 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Dual Supply Voltage75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.76 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation125 W
Rds On Max24 mΩ
Rise Time40 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)75 V
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant