STMicroelectronics STD3LN62K3
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| element14 APAC | STD3LN62K3 | 0 | 1 | 15h | ||||||||
| Farnell | STD3LN62K3 | 0 | 1 | 1h | ||||||||
| Microchip USA | STD3LN62K3 | 195 | 3500 | Tray | 18h | |||||||
| Component Stockers USA | STD3LN62K3 | 404 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-STD3LN62K3 | 9500 | 125 | 2h |
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-02-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-01-10
LTD Date2021-07-10
Parti correlate
STMicroelectronicsSTD4NK50ZT4
N-CHANNEL 500V - 2.4 Ohm - 3A DPAK Zener-Protected SuperMESH(TM) PowerMOSFET
VishayIRFR420TRPBF
Single N-Channel 500 V 3 O 19 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-252 (DPAK)
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STD3LN62K3 fornite dai suoi distributori.
N-channel 620 V, 2.5 Ohm, 2.5 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET DPAK
STD3LN62K3 N-channel MOSFET Transistor, 2.5 A, 620 V, 3-Pin TO-252
N-Channel 620 V 3 Ohm Surface Mount SuperMesh III Power MosFet - TO-252-3
620 V, 2.5 A, 2.5 OHM N-CHANNEL SUPERMESH3 POWER MOSFET DPAK Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 620V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Mosfet, N Ch, 620V, 2.5A, To-252; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:620V; Continuous Drain Current Id:2.5A; On Resistance Rds(On):2.5Ohm; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STD3LN62K3
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage620 V
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)620 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance386 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage620 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation45 W
Rds On Max3 Ω
Resistance3 Ω
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant