STMicroelectronics STD2NK90Z-1
$ 1.009
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.76%
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0 parti disponibili
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Parti correlate
STMicroelectronicsSTD3NK80Z-1
N-CHANNEL 800V - 3.8 Ohm - 2.5A IPAK Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STD2NK90Z-1 fornite dai suoi distributori.
N-CHANNEL 900V - 5.5 Ohm - 2.1A - DPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFET
N-channel 900 V, 5 Ohm typ., 2.1 A SuperMESH Power MOSFET in IPAK package
Ciiva
N-CHANNEL 900V-5 OHM-2.1A-IPAK ZENER-PROTECTED SUPER MESH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 900V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
MOSFET, N CH, 900V, 2.1A, IPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 1.05A; Drain Source Voltage Vds: 900V; On Resistance Rds(on): 5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Powe
Mosfet, N Channel, 900V, 2.1A, Ipak; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:1.05A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:900V; Resistencia De Activación Rds(On):5Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STD2NK90Z-1
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.76%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance6.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance485 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rds On Max6.5 Ω
Resistance6.5 Ω
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant