STMicroelectronics STD16NF25
$ 0.996
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +193%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-10-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STD16NF25 fornite dai suoi distributori.
N-channel 250 V, 0.195 Ohm, 14 A STripFET(TM) II Power MOSFET in DPAK package
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MOSFET, N-CH, 250V, 14A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
100W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 18nC@ 10 V 1N 250V 235m¦¸@ 6.5A,10V 14A 680pF@25V DPAK,TO-252,TO-252-3 2.63mm
MOSFET N-Channel 250V Pwr Mosfet
Power MOSFETs, 250V, 14A, DPAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
MOSFET, N-CH, 250V, 14A, 85W, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):0.195ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V;
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +193%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance235 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance680 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation100 W
Rds On Max235 mΩ
Resistance235 mΩ
Rise Time17 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant