STMicroelectronics STB6NK60Z-1
$ 0.369
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | STB6NK60Z-1 | 963 | 1 | |||||||||
| Verical | STB6NK60Z-1 | 963 | 17 | |||||||||
| Future Electronics | STB6NK60Z-1 | 1000 | 30 | Tube | ||||||||
| Avnet | STB6NK60Z-1 | 0 | 2K | 8h | ||||||||
| Microchip USA | STB6NK60Z-1 | 1318 | 3500 | Tube | 22h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
onsemiFQI6N60CTU
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTFI6N62K3
N-channel 620 V, 0.95 Ohm, 5.5 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STB6NK60Z-1 fornite dai suoi distributori.
N-channel 600 V - 1 Ohm - 6 A - I2PAK Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK / Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
110W(Tc) 30V 4.5V@ 100¦ÌA 46nC@ 10 V 1N 600V 1.2¦¸@ 3A,10V 6A 905pF@25V I2PAK 10mm*4.4mm*8.95mm
Hv Mosfet Planar |Stmicroelectronics STB6NK60Z-1
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Power MOSFETs, 600V, 6A, I2PAK, Tube
STMicroelectronics SCT
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
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Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance905 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max1.2 Ω
Resistance1.2 Ω
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time47 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant