STMicroelectronics STB55NF06
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Cronologia dell'inventario
Trend storico dell'inventario non disponibile
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STB55NF06 fornite dai suoi distributori.
N-channel 60 V, 0.015 Ohm, 50 A STripFET(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
Ciiva
50A, 60V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3
N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220FP/I PAK/D²PAK STripFET™ II POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Trend storico dell'inventario non disponibile
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Resistance18 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation95 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Schede tecniche e documenti
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