STMicroelectronics STB40NF20
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InfineonIRF3415SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID 43A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
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STMicroelectronicsSTB30NF20L
MOSFET N CH 200V 30A D2PAK / N-Channel 200 V 30A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STB40NF20 fornite dai suoi distributori.
Mosfet Transistor, N Channel, 40 A, 200 V, 45 Mohm, 10 V, 3 V |Stmicroelectronics STB40NF20
Trans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-channel 200V - 0.038Ohm -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247
200 V-40 A-0.038 OHM-D2PAK N-CHANNEL LOW GATE CHARGE STRIPFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube STripFETseries, Vds=200 V, 40 A, D2PAK (TO-263)encapsulation, surface mount, 3Pin
MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 160W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max: 40A; On State resistance @ Vgs = 10V: 45mohm; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Pulse Current Idm: 160A; SMD Marking: 40NF20; Termination Type: Surface Mount Device; Voltage Vds Typ: 200V; Voltage Vgs Max: 20V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage Vgs th Max: 4V
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Current Rating40 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation160 W
Rds On Max45 mΩ
Resistance45 mΩ
Rise Time44 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time74 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant