STMicroelectronics STB30N65M5
$ 2.889
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.16%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-01-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTB32N65M5
N-channel 650 V, 0.095 Ohm, 24 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB34N65M5
N-channel 650 V, 0.09 Ohm typ., 28 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB35N65M5
N-channel 650 V, 0.085 Ohm, 27 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
VishaySIHB24N65E-GE3
E-Series N-Channel 650 V 0.145 O 122 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
VishaySIHB24N65E-E3
MOSFET, N CH, 650V, 24A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
VishaySIHB22N60E-GE3
MOSFET, N CH, 600V, 21A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STB30N65M5 fornite dai suoi distributori.
N-channel 650 V, 0.125 Ohm typ., 22 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STB30N65M5: 650 V 0.139 Ohm Surface Mount N-Channel Power MOSFET - D2PAK
Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 650V, 0.139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.16%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance139 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.88 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation140 W
Rds On Max139 mΩ
Resistance139 MΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time50 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant