STMicroelectronics STB21NK50Z
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -3.77%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STB21NK50Z.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-09-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-21
LTD Date2019-06-21
Parti correlate
STMicroelectronicsSTB14NK50ZT4
STB14NK50ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 14 A, 500 V, 3-PIN D2PAK
STMicroelectronicsSTB14NK60ZT4
STB14NK60ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 13.5 A, 600 V, 3-PIN D2PAK
STMicroelectronicsSTB12NM50T4
N-Channel 500V - 0.30 Ohm - 12A - D2PAK MDmesh(TM) POWER MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STB21NK50Z fornite dai suoi distributori.
STB21NK50Z N-channel MOSFET Transistor, 17 A, 500 V, 3-Pin D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel 500 V 0.27 Ohm Surface Mount SuperMesh Power MosFet - D2PAK
Automotive grade N-channel 500 V, 0.23 Ohm typ., 17 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in a D2PAK package
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 500V, 17A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.23ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Pow
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -3.77%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance270 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3.75 V
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation190 W
Rds On Max270 mΩ
Resistance270 mΩ
Rise Time20 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STB21NK50Z.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant