STMicroelectronics STB18NM60ND
$ 1.76
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | STB18NM60ND | 0 | 1K | 9h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | STB18NM60ND | 0 | 5 | Bulk | 12h | |||||||
| Microchip USA | STB18NM60ND | 367 | 600 | Tray | 7d | |||||||
| Win Source | WS-STB18NM60ND | 90 | 11 | 21h | ||||||||
| Worldway Electronics | STB18NM60ND | 17.316 | 7 | Tape & Reel | 20h |
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STB18NM60ND.
Parti correlate
STMicroelectronicsSTB24N65M2
N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
InfineonIPB65R225C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK / N-Channel 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
STMicroelectronicsSTB13N60M2
N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STB18NM60ND fornite dai suoi distributori.
N-Channel 600 V 0.29 Ohm 130 W Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
N-channel 600 V, 0.25 Ohm typ., 13 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK package
STB18NM60ND N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 13 A, 600 V, 3-PIN D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Resistance290 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.03 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Rds On Max290 mΩ
Resistance290 mΩ
Rise Time15.5 ns
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time55 ns
Dimensions
Height4.4 mm
Length10 mm
Width8.95 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant