STMicroelectronics STB11NM60T4
$ 2.039
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-6545-1-ND | 1446 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | STB11NM60T4 | 0 | 1K | 12h | ||||||||
| Future Electronics | STB11NM60T4 | 0 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | STB11NM60T4 | 0 | 1K | 2d | ||||||||
| Arrow Electronics | STB11NM60T4 | 0 | 1K |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +44.02%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STB11NM60T4.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTB12NM50T4
N-Channel 500V - 0.30 Ohm - 12A - D2PAK MDmesh(TM) POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTB14NK50ZT4
STB14NK50ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 14 A, 500 V, 3-PIN D2PAK
STMicroelectronicsSTB14NK60ZT4
STB14NK60ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 13.5 A, 600 V, 3-PIN D2PAK
VishayIRFS11N50APBF
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STB11NM60T4 fornite dai suoi distributori.
STB11NM60T4 N-channel MOSFET Transistor, 11 A, 650 V, 3-Pin D2PAK
N-channel 600 V, 0.4 Ohm, 11 A, I2PAK, D2PAK MDmesh(TM) Power MOSFET
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 5.5 A, 0.4 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 650V, 11A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5.5A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +44.02%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Current Rating11 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance450 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation160 W
Rds On Max450 mΩ
Resistance450 MΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time6 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.75 mm
Width10.4 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STB11NM60T4.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant