STMicroelectronics BUL1102EFP
$ 0.827
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | BUL1102EFP | 826 | 1 | |||||||||
| DigiKey | 497-12148-ND | 1000 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | BUL1102EFP | 0 | 1 | 14h | ||||||||
| Avnet | BUL1102EFP | 0 | 2K | 17h | ||||||||
| Arrow Electronics | BUL1102EFP | 0 | 2K |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -52.51%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics BUL1102EFP.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Parti correlate
Diodes Inc.APT13005DT-G1
TRANS NPN 450V 4A TO220-3 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 4 A 4MHz 75 W Through Hole TO-220-3
NXP SemiconductorsPHE13005,127
PHE Series NPN 75 W 400 V 4 A Flange Mount Power Transistor - TO-220-3
Diodes Inc.APT13005DTF-G1
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics BUL1102EFP fornite dai suoi distributori.
STMICROELECTRONICS BUL1102EFP Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 450 V, 30 W, 4 A, 20 hFE
BUL1102E Series NPN 450 V 4 A 30 W Through Hole Bipolar Transistor - TO-220FP
High voltage fast switching NPN power transistor
Trans GP BJT NPN 450V 4A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Bipolar, NPN, 5V, 400mA, TO-220FP, Tube
STMicroelectronics SCT
TRANSISTOR, NPN, TO-220FP; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 450V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 30W; DC Collector Current: 4A; DC Current Gain hFE: 20hFE; Transistor Case Style:
Transistor, Npn, To-220Fp; Transistor, Polaridad:Npn; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:450V; Frecuencia De Transición Ft:-; Disipación De Potencia Pd:30W; Corriente De Colector Dc:4A; Ganancia De Corriente Dc Hfe:40 |Stmicroelectronics BUL1102EFP
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -52.51%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage450 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)450 V
Emitter Base Voltage (VEBO)12 V
hFE Min35
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Schedule B8541290080
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant