STMicroelectronics BD679
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +8.26%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginIndia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics BD679 fornite dai suoi distributori.
BD6xxx Series NPN 80 V 4 A Complementary Power Darlington Transistor - SOT-32
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
TRANSISTOR, DARLINGTON, NPN, POWER, SWITCH, VO 80V, VI 5V, IO 4A, PD 40W, SOT-32
TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32 / Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
STMicroelectronics Darlington Transistor NPN 4A SOT-32 TH 3-Pin
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-126; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:750; Transistor Case Style:TO-126; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Av Current Ic:4A; Collector Emitter Voltage Vces:2.5V; Continuous Collector Current Ic Max:4A; Current Ic Continuous a Max:4A; Current Ic hFE:1.5A; Device Marking:BD679; Full Power Rating Temperature:25°C; Hfe Min:750; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-126; Power Dissipation Ptot Max:40W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Darlington; Voltage Vcbo:80V
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +8.26%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-32
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min750
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation40 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency10 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height11.05 mm
Length7.8 mm
Width2.9 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant