STARPOWER GD600HFY120P1S
$ 327.96
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -14.29%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STARPOWER GD600HFY120P1S.
Descrizioni
Descrizioni di STARPOWER GD600HFY120P1S fornite dai suoi distributori.
Insulated Gate Bipolar Transistor, 951A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Starpower GD600HFY120P1S IGBTモジュール
TRANSISTOR, IGBT MODULE, 1.2KV, 951A;
IGBT, HALF BRIDGE, 1.2KV, 951A, MODULE; Continuous Collector Current:951A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.7V; Power Dissipation:3.1kW; Operating Temperature Max:150°C; IGBT Termination:Stud; Transistor Mounting:Panel RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
STARPOWER ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STARPOWER può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD
- STARPOWER SEMICONDUCTOR
- StarPower Europe AG
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -14.29%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Number of Terminals10
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.15 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Max Collector Current951 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.1 kW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements2
Schede tecniche e documenti
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