STARPOWER GD600HFY120P1S

Insulated Gate Bipolar Transistor, 951A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
$ 327.96
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STARPOWER GD600HFY120P1S.

IHS

Datasheet10 pagine9 anni fa

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-14.29%

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Descrizioni

Descrizioni di STARPOWER GD600HFY120P1S fornite dai suoi distributori.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 951A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Starpower GD600HFY120P1S IGBTモジュール
TRANSISTOR, IGBT MODULE, 1.2KV, 951A;
IGBT, HALF BRIDGE, 1.2KV, 951A, MODULE; Continuous Collector Current:951A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.7V; Power Dissipation:3.1kW; Operating Temperature Max:150°C; IGBT Termination:Stud; Transistor Mounting:Panel RoHS Compliant: Yes

Alias del produttore

STARPOWER ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STARPOWER può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD
  • STARPOWER SEMICONDUCTOR
  • StarPower Europe AG