STARPOWER GD600HFY120C2S

晶体管, Igbt 模块, 1.2KV, 1KA, 150度 C, 3.409KW;
$ 198.83

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+42.86%

Descrizioni

Descrizioni di STARPOWER GD600HFY120C2S fornite dai suoi distributori.

晶体管, IGBT 模块, 1.2KV, 1KA, 150度 C, 3.409KW;
IGBT MOD, 1.2KV, 1KA, 150DEG C, 3.409KW; Transistor Polarity: Dual N Channel; DC Collector Current: 1kA; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2V; Power Dissipation Pd: 3.409kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2
Igbt Mod, 1.2Kv, 1Ka, 150Deg C, 3.409Kw; Continuous Collector Current:1Ka; Collector Emitter Saturation Voltage:2V; Power Dissipation:3.409Kw; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Stud; Transistor Mounting:Panel Rohs Compliant: Yes |Starpower GD600HFY120C2S

Alias del produttore

STARPOWER ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STARPOWER può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD
  • STARPOWER SEMICONDUCTOR
  • StarPower Europe AG