STARPOWER GD450HFY120C6S

Insulated Gate Bipolar Transistor, 698A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
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DistributorSKUMinPkg
IC Components Ltd.GD450HFY120C6S5100
19h
YIC InternationalGD450HFY120C6S5400
>1wk

Schede tecniche e documenti

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IHS

Datasheet10 pagine3 anni fa

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-14.29%
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Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Descrizioni

Descrizioni di STARPOWER GD450HFY120C6S fornite dai suoi distributori.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 698A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
IHS
Starpower GD450HFY120C6S IGBTモジュール
RS APAC
IGBT MOD, 1.2KV, 680A, 150DEG C, 2.173KW; Transistor Polarity: Dual N Channel; DC Collector Current: 680A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2V; Power Dissipation Pd: 2.173kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: Module; No. of Pins: 11Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell
Igbt Mod, 1.2Kv, 680A, 150Deg C, 2.173Kw; Continuous Collector Current:680A; Collector Emitter Saturation Voltage:2V; Power Dissipation:2.173Kw; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Stud; Transistor Mounting:Panel Rohs Compliant: Yes |Starpower GD450HFY120C6S
Newark

Alias del produttore

STARPOWER ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STARPOWER può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD
  • STARPOWER SEMICONDUCTOR
  • StarPower Europe AG