STARPOWER GD30PJX65L2S

Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
$ 32.79
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IHS

Datasheet13 pagine7 anni fa

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-14.29%

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Descrizioni

Descrizioni di STARPOWER GD30PJX65L2S fornite dai suoi distributori.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
Starpower GD30PJX65L2S IGBTモジュール
晶体管, IGBT 模块, 650V, 55A, 163W;
IGBT, PIM, 650V, 55A, MODULE; Continuous Collector Current:55A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.45V; Power Dissipation:163W; Operating Temperature Max:150°C; IGBT Termination:Solder; Collector Emitter Voltage Max:650V RoHS Compliant: Yes

Alias del produttore

STARPOWER ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STARPOWER può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD
  • STARPOWER SEMICONDUCTOR
  • StarPower Europe AG