STARPOWER GD300HFY120C2S

Insulated Gate Bipolar Transistor, 444A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
$ 106.32
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IHS

Datasheet9 pagine3 anni fa

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-40.00%

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Descrizioni

Descrizioni di STARPOWER GD300HFY120C2S fornite dai suoi distributori.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 444A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
晶体管, IGBT 模块, 1.2KV, 600A, 150度 C, 2.941KW;
Starpower GD300HFY120C2S IGBTモジュール
IGBT MOD, 1.2KV, 600A, 150DEG C, 2.941KW; Transistor Polarity: Dual N Channel; DC Collector Current: 600A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2V; Power Dissipation Pd: 2.941kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1
Igbt Mod, 1.2Kv, 600A, 150Deg C, 2.941Kw; Continuous Collector Current:600A; Collector Emitter Saturation Voltage:2V; Power Dissipation:2.941Kw; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Stud; Transistor Mounting:Panel Rohs Compliant: Yes |Starpower GD300HFY120C2S

Alias del produttore

STARPOWER ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STARPOWER può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD
  • STARPOWER SEMICONDUCTOR
  • StarPower Europe AG