Sangdest Microelectronics S3M0016120B

Power Field-Effect Transistor, 106A I(D), 1200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide...
$ 9.598
Production
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Vedi tutte le interruzioni di prezzo
DistributorSKUMinPkg
TME
2
S3M0016120B-SMC101
9h
AERIS3M0016120B6161
1h

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Sangdest Microelectronics S3M0016120B.

TME

Datasheet12 pagine1 anno fa

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+0.00%
Powered bySpectra logo

Supply Chain

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2024-09-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)

Descrizioni

Descrizioni di Sangdest Microelectronics S3M0016120B fornite dai suoi distributori.

Power Field-Effect Transistor, 106A I(D), 1200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
DigiKey

Alias del produttore

Sangdest Microelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Sangdest Microelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • SANGDEST MICROELECTRONICS (NANJING) CO LTD
  • SMC(Sangdest Microelectronicstronic (Nanjing))
  • SANGDEST
  • Sangdest Microelectronic (Nanjing) Co Ltd
  • SMC-Diodess
  • SANGDEST MICROELECTRONICS CO LTD
  • SANGDEST MICROELECTRONIC
  • SMC-Diodes
  • Sangdest Microelectronics (Nanjing)