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Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Semikron SEMIX302GB12E4S.
Scheda dati ufficiale13 anni fa
Parti correlate
InfineonFP75R12KE3BOSA1
Infineon FP75R12KE3BOSA1 3 Phase Bridge IGBT Module, 105 A 1200 V AG-ECONO3-3, Panel Mount
InfineonFF450R12KT4HOSA1
IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 580 A, 1.75 V, 2.4 kW, 1.2 kV, Module
Descrizioni
Descrizioni di Semikron SEMIX302GB12E4S fornite dai suoi distributori.
Trans IGBT Module N-CH 1200V 463A 7-Pin Case GB
Features: Homogeneous Si Trench = Trenchgate technology V CE(sat) with positive temperature coefficient High short circuit capability UL recognized, file no. E63532 Typical Applications: AC inverter drives UPS Electronic Welding
Igbt Module, Dual, 1.2Kv, 463A; Continuous Collector Current:463A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.8V; Power Dissipation:-; Operating Temperature Max:125°C; Igbt Termination:Press Fit; Collector Emitter Voltage Max:1.2Kv Rohs Compliant: Yes |Semikron SEMIX302GB12E4S
Alias del produttore
Semikron ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Semikron può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- SEMIK
- SEMIKRON INTERNATIONAL
- SEMIKRO
- SEMIKRON INC
- semokron
- SEMIKR
- SEMIKON
- SEMIKROM
- SMIKRON
- SEMIKRON DANFOSS
- SEMIKRON INTERNATIONAL GMBH
- SEMIKEON
- Semikron Sindopower
- Sindopower / Semikron
- Semikron Danfoss Elektronik
- semicron
- SMK
- SMK CORP
- Semikron Passive
- SEMIKRON/PRIMO
- Mikron Manufacturing
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageModule
MountScrew
Number of Pins7
Technical
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationDual
Max Operating Temperature175 °C
Min Operating Temperature-40 °C
PolarityNPN
Schede tecniche e documenti
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Scheda dati ufficiale13 anni fa