Samsung IRF820
$ 0.404
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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.87%
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Samsung IRF820.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1986-04-01
Descrizioni
Descrizioni di Samsung IRF820 fornite dai suoi distributori.
2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET in TO-220
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias del produttore
Samsung ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Samsung può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- SAM
- SEC
- Samsung Semiconductor Inc
- Samsung Semiconductor
- SAMSUN
- SAMSUNG ELECTRONICS
- SAMS
- SAMSUNG LED
- SAMSUMG
- SAMSU
- SUMSUNG
- SMG
- KOREA
- SAMAUNG
- SMS
- SAMSUNG SEMI
- SAMSUNG ELECTRONICS INC
- Samsung Electronics Co Ltd
- SAMSUNG SEMICONDUCTO
- SAMSUNG ELECTRO
- SAMUNG
- SANSUNG
- Samsung Electronics (SEC)
- SMM
- SLD
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.87%
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Resistance3 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation50 W
Schede tecniche e documenti
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