ROHM UMB10NTN

Name: ROHM UMB10NTN
Brand: ROHM
SKU: UMB10NTN

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon

$ 0.114

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Distributor		SKU		Min	Pkg
CoreStaff		ST37639515	221	1		0,050	0,048	0,047	0,045	0,045	4h
Arrow Electronics		UMB10NTN	505	1		0,455	0,278	0,174	0,129	0,129
Verical	2	UMB10NTN	505	33				0,174	0,114	0,080
DigiKey	2	UMB10NTNCT-ND	504	1	Cut Tape	0,500	0,307	0,195	0,130	0,130
TME	2	UMB10NTN	0	1		0,229	0,162	0,109	0,089	0,071	1h

Cronologia dell'inventario

Tendenza a 3 mesi: -19.57%

Modelli CAD

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IHS

Datasheet11 pagine10 anni fa

_legacy Avnet

Farnell

Rohm SCT

Future Electronics

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Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1994-05-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

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Descrizioni

Descrizioni di ROHM UMB10NTN fornite dai suoi distributori.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon

IHS

UMB10N Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual PNP Digital Transistor - SC-88

Future Electronics

TRANSISTOR DUAL UM6 PNP/PNP; Transistor Type:General Purpose; Transistor Polarity:Dual PNP; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:50V; Current Ic Continuous a Max:100mA; Power Dissipation:150mW; Min Hfe:80; ft, Typ:250MHz; Case ;RoHS Compliant: Yes

Newark

element14 APAC

TRANSISTOR DUAL UM6 PNP/PNP; Digital Transistor Polarity: Dual PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: -100mA; Base Input Resistor R1: 2.2kohm; Base-Emitter Resistor R2: 47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2: -; RF Transistor Case: SOT-363; No. of Pins: 6 Pin; Product Range: UMB10N Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Current Ic Continuous a Max: 100mA; DC Collector Current: -100mA; DC Current Gain hFE: 80hFE; Gain Bandwidth ft Typ: 250MHz; Hfe Min: 80; Module Configuration: Dual; No. of Pins: 6Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Power Dissipation Pd: 150mW; Transistor Case Style: SOT-363; Transistor Polarity: PNP; Transistor Type: General Purpose; Transition Frequency ft: 250MHz

Farnell

Immagini

Alias del produttore

ROHM ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. ROHM può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

Rohm Semiconductor
ROHM CO LTD
RHOM
ROH
RHM
ROHM ELECTRONICS
ROM
ROMH
ROHS
ROHN
ROHM SEMI
ROHM Semicon
ROHM CORPORATION
ROHM CORP
MIYA
Rohm Company Limited
ROHM CO
ROHM ELEC
ROHM Semiconductors
ROHM ELECTRO
ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
ROHM COMPANY LTD
ROHM INC
ROHM/MISC
ROHM/NONE

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

UMB10 N TN
UMB10 NTN
UMB10N TN

Cronologia dell'inventario

Tendenza a 3 mesi: -19.57%

Modelli CAD

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Parti alternative

0 parti disponibili

Specifiche tecniche

Physical

Case/PackageSOT-363

MountSurface Mount

Number of Pins6

Number of Terminals6

Technical

Collector Emitter Breakdown Voltage50 V

Collector Emitter Saturation Voltage300 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V

Continuous Collector Current-100 mA

Current Rating-100 mA

Element ConfigurationDual

Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V

hFE Min80

Max Breakdown Voltage50 V

Max Collector Current100 mA

Max Operating Temperature150 °C

Max Output Current100 mA

Max Power Dissipation150 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements2

Operating Supply Voltage50 V

PackagingCut Tape

PolarityPNP

Power Dissipation300 mW

Transition Frequency250 MHz

Voltage Rating (DC)-50 V

Dimensions

Height900 µm

Length2.1 mm

Width1.35 mm

Schede tecniche e documenti

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IHS

Datasheet11 pagine10 anni fa

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Farnell

Rohm SCT

Future Electronics

Conformità

Classificazione ambientale

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant