ROHM SH8KB7TB1
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +359%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per ROHM SH8KB7TB1.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Descrizioni
Descrizioni di ROHM SH8KB7TB1 fornite dai suoi distributori.
Transistor MOSFET Array Dual N-Channel 40V 13.5A 8-Pin SOP Emboss T/R
ROHM NChannel EnhancedMOSTube, Vds=40 V, 13.5 A, SOPencapsulation, surface mount, 8Pin
Mosfet, Dual, N-Ch, 40V, 13.5A, Sop; |Rohm SH8KB7TB1
Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 40V, 0.0105ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, 双, N沟道, 40V, 13.5A, SOP;
40V 13.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Alias del produttore
ROHM ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. ROHM può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +359%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOP
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)13.5 A
Drain to Source Resistance10.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Schede tecniche e documenti
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