ROHM SH8JC5TB1
$ 1.271
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Distributore
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Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -20.78%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per ROHM SH8JC5TB1.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2020-11-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Descrizioni
Descrizioni di ROHM SH8JC5TB1 fornite dai suoi distributori.
Transistor MOSFET Array Dual P-CH -60V ±7.5A 8-Pin SOP T/R
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 60V, 0.035ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, P沟道, 60V, 7.5A, SOP;
-60V DUAL PCH+PCH, SOP8, POWER M
Dual P-CH 60V 7,5A 50mOhm SOP8
Alias del produttore
ROHM ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. ROHM può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -20.78%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOP
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Drain to Source Resistance35 mΩ
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Schede tecniche e documenti
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