ROHM SCT3030ALGC11
$ 19.2
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +10.48%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per ROHM SCT3030ALGC11.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-03-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTWA88N65M5
N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
onsemiFCH041N65F-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 76 A, 41 mΩ, TO-247
onsemiFCH041N65EF-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 76 A, 71 mΩ, TO-247
STMicroelectronicsSTW65N65DM2AG
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V,42 mOhm typ 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di ROHM SCT3030ALGC11 fornite dai suoi distributori.
SCT3030AL Series 650 V 70 A 39 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 650V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N-CH, 650V, 70A, TO-247N; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 70A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.03ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 18V; Threshold Voltage Vgs: 5.6V; Po
Mosfet, N-Ch, 650V, 70A, To-247N-3; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:70A; Drain Source Voltage Vds:650V; No. Of Pins:3Pins; Rds(On) Test Voltage:18V; Power Dissipation:262W Rohs Compliant: Yes |Rohm SCT3030ALGC11
Alias del produttore
ROHM ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. ROHM può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +10.48%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)70 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance39 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance1.526 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Power Dissipation262 W
Min Breakdown Voltage650 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation262 W
Rds On Max39 mΩ
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Dimensions
Height25.5 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per ROHM SCT3030ALGC11.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant